Пліта карбіду крэмнія

Пласцінка SiC для працэсу тручэння ICP Прымяненне: Пласціна SiC выкарыстоўваецца ў якасці аплаткавых пласцін для працэсу пратручвання ICP ў індустрыі святлодыёдаў. Патрабаванне да функцыі: Выдатная цеплаправоднасць Устойлівы да плазменнага шоку Добрая раўнамернасць тэмпературы Чаму Kallex лепш за іншых: Даступны ў розных спецыфікацыях,таксама прадастаўляючы індывідуальныя паслугі Стабільная якасць і хуткая дастаўка Адрамантуйце сэрвіс

Пласцінка SiC для RTA Прымяненне: Пласцінка SiC шырока выкарыстоўваецца ў якасці трымальніка пласцін у RTA(хуткі тэрмічны адпал)працэс у святлодыёднай і паўправадніковай галінах. Патрабаванні да функцый: Добрая цеплаправоднасць Добрая тэрмаўстойлівасць Нізкі каэфіцыент цеплавога пашырэння Добрая раўнамернасць тэмпературы Чаму Kallex лепш за іншых: Даступны ў розных спецыфікацыях,таксама прадастаўляючы індывідуальныя паслугі Высокая якасць і хуткая дастаўка OEM і ODM

Пласцінка SiC для PSS Прымяненне: Пласцінка SiC выкарыстоўваецца ў якасці аплаткавых пласцін для PSS(ўзор сапфіравага субстрата)Працэс тручэння ў галінах СВД. Патрабаванні да функцый: Цеплаправоднасць Устойлівы да бамбавання плазмай Добрая раўнамернасць тэмпературы Чаму Kallex лепш за іншых: Даступны ў розных спецыфікацыях,таксама прадастаўляючы індывідуальныя паслугі Стабільная якасць і хуткая дастаўка Высокі кошт-каэфіцыент прадукцыйнасці і канкурэнтаздольнасць Шырокі вопыт вырабу латкоў Сертыфікавана на арыгінальнай фабрыцы Тэхнічныя характарыстыкі: Пласціна SiC&фі;340мм&раз;2 мм(2 дзюймы*26 кішэняў) Пласціна SiC&фі;340мм&раз;2 мм(4 цалі*7 кішэняў)

Пласцінка SiC для PVD Прымяненне: Пласціна SiC шырока выкарыстоўваецца ў якасці пласцін для апрацоўкі пласцін для PVD працэсу росту плёнкі нітрыду алюмінія ў галінах святлодыёдаў. Патрабаванні да функцый: Выдатная цеплаправоднасць Добрая раўнамернасць тэмпературы Добрая тэрмаўстойлівасць Чаму Kallex лепш за іншых: Даступны ў розных спецыфікацыях,таксама прадастаўляючы індывідуальныя паслугі Высокая якасць і хуткая дастаўка Цалкам ушчыльнены,не выйсці-пытанне газаўтварэння

Латок штыфта SiC Прымяненне: Штыфтавы латок SiC для працэсу тручэння ICP ў індустрыі святлодыёдаў можа замяніць латок звычайных кішэнных тыпаў. Патрабаванні да функцый: Выдатная цеплаправоднасць Устойлівасць да бамбавання плазмай Добрая раўнамернасць тэмпературы Чаму Kallex лепш за іншых: Эксклюзіўны патэнтавы дызайн,атрыманы патэнтны сертыфікат ROC:Новы Не.M555559-Новае імя:вафельны перавозчык Аказанне дапамогі кліентам у паляпшэнні працэсу Высокі кошт-каэфіцыент прадукцыйнасці і высокая канкурэнтаздольнасць Палепшыць аднастайнасць кожнай невялікай частковай плошчы ў пласціне Паменшыце розніцу вынікаў працэсу паміж пласцінамі ў адным і тым жа носьбіце Тэрмін службы ў чатыры разы больш, чым у звычайных кішэнных тыпаў,што можа значна зэканоміць кошт выкарыстання пласціны

Зоркавы дыск SiC Прымяненне: Цэнтральная пласціна і дыскі SiC выкарыстоўваюцца ў рэакцыйнай камеры MOCVD для III-V злучэнне паўправадніковага эпітаксія. Патрабаванні да функцый: Устойлівы да высокай тэмпературы Высокая цеплаправоднасць Няма праблемы з часціцамі Добрая тэрмаўстойлівасць Чаму Kallex лепш за іншых: Індывідуальныя паслугі Стабільная якасць і хуткая дастаўка Плоскасць у вострым месцы добра Высокі кошт-каэфіцыент прадукцыйнасці Доўгае жыццё