সিলিকন কার্বাইড প্লেট

আইসিপি এচিং প্রক্রিয়াটির জন্য SiC প্লেট আবেদন: এলইডি শিল্পে আইসিপি এচিং প্রক্রিয়াটির জন্য SiC প্লেট একটি ওয়েফার ধারক হিসাবে ব্যবহৃত হয়।. বৈশিষ্ট্য প্রয়োজনীয়তা: দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা প্লাজমা শক প্রতিরোধী ভাল তাপমাত্রা অভিন্নতা কেন কলেক্স অন্যের চেয়ে ভাল: বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন উপলব্ধ,কাস্টমাইজড পরিষেবা সরবরাহ করে স্থিতিশীল মানের এবং দ্রুত বিতরণ পরিষেবা পুনর্বিবেচনা

আরটিএর জন্য SiC প্লেট আবেদন: SiC প্লেট আরটিএতে একটি ওয়েফার ধারক হিসাবে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়(দ্রুত তাপ annealing)এলইডি এবং অর্ধপরিবাহী শিল্পে প্রক্রিয়া. বৈশিষ্ট্য প্রয়োজনীয়তা: উত্তম তাপ পরিবাহিতা ভাল তাপ শক প্রতিরোধের তাপীয় প্রসারণের কম সহগ ভাল তাপমাত্রা অভিন্নতা কেন কলেক্স অন্যের চেয়ে ভাল: বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন উপলব্ধ,কাস্টমাইজড পরিষেবা সরবরাহ করে উচ্চ মানের এবং দ্রুত বিতরণ ই এম এবং ওডিএম

পিএসএসের জন্য SiC প্লেট আবেদন: SiC প্লেট পিএসএসের জন্য ওয়েফার ধারক হিসাবে ব্যবহৃত হয়(প্যাটার্ন নীলা স্তর)এলইডি শিল্পগুলিতে ইচিং প্রক্রিয়া. বৈশিষ্ট্য প্রয়োজনীয়তা: তাপ পরিবাহিতা প্লাজমা বোমাবর্ষণ প্রতিরোধী Res ভাল তাপমাত্রা অভিন্নতা কেন কলেক্স অন্যের চেয়ে ভাল: বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন উপলব্ধ,কাস্টমাইজড পরিষেবা সরবরাহ করে স্থিতিশীল মানের এবং দ্রুত বিতরণ উচ্চ মূল্য-কর্মক্ষমতা অনুপাত এবং প্রতিযোগিতামূলক ট্রে তৈরির ব্যাপক অভিজ্ঞতা মূল কারখানা দ্বারা প্রত্যয়িত বিশেষ উল্লেখ: SiC প্লেট φ340 মিমি × 2 মিমি (2 ইঞ্চি * 26 পকেট)SiC প্লেট φ340 মিমি × 2 মিমি (4 ইঞ্চি * 7 পকেট)

পিভিডি জন্য SiC প্লেট আবেদন: LED শিল্পে অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ফিল্ম বৃদ্ধির পিভিডি প্রক্রিয়াটির জন্য SiC প্লেট ব্যাপকভাবে ওয়েফার ধারক হিসাবে ব্যবহৃত হয়. বৈশিষ্ট্য প্রয়োজনীয়তা: দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা ভাল তাপমাত্রা অভিন্নতা ভাল তাপ শক প্রতিরোধের কেন কলেক্স অন্যের চেয়ে ভাল: বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন উপলব্ধ,কাস্টমাইজড পরিষেবা সরবরাহ করে উচ্চ মানের এবং দ্রুত বিতরণ সম্পূর্ণ ঘনত্বযুক্ত,না বাইরে-গাসিং ইস্যু

SiC পিন ট্রে আবেদন: এলইডি শিল্পে আইসিপি এচিং প্রক্রিয়াটির জন্য SiC পিন ট্রে স্বাভাবিক পকেটের ধরণের ট্রে প্রতিস্থাপন করতে পারে. বৈশিষ্ট্য প্রয়োজনীয়তা: দুর্দান্ত তাপ পরিবাহিতা প্লাজমা বোমা হামলার প্রতিরোধ ভাল তাপমাত্রা অভিন্নতা কেন কলেক্স অন্যের চেয়ে ভাল: এক্সক্লুসিভ পেটেন্ট ডিজাইন,আরওসি পেটেন্ট শংসাপত্র প্রাপ্ত:নতুন না.M555559-নতুন নাম:ওয়েফার ক্যারিয়ার প্রক্রিয়া গ্রাহকদের উন্নতি সহায়তা উচ্চ ব্যয়-কর্মক্ষমতা অনুপাত এবং উচ্চ প্রতিযোগিতামূলক ওয়েফারের প্রতিটি ছোট আংশিক ক্ষেত্রের সজ্জা উন্নত করুন একই ক্যারিয়ারের ওয়েফারের মধ্যে প্রক্রিয়া ফলাফলের পার্থক্য হ্রাস করুন স্থায়ী জীবন স্বাভাবিক পকেটের ধরণের চেয়ে চতুর্মুখী,যা প্লেটের ব্যবহারের ব্যয়টি ব্যাপকভাবে সাশ্রয় করতে পারে

SiC তারকা ডিস্ক আবেদন: SiC সেন্টার প্লেট এবং ডিস্কগুলি III এর জন্য এমওসিভিডি প্রতিক্রিয়া চেম্বারে ব্যবহৃত হয়-ভি যৌগিক অর্ধপরিবাহী এপিট্যাক্সিয়াল প্রক্রিয়া. বৈশিষ্ট্য প্রয়োজনীয়তা: উচ্চ তাপমাত্রা প্রতিরোধী উচ্চ তাপ পরিবাহিতা কণার সমস্যা নেই ভাল তাপ স্থায়িত্ব কেন কলেক্স অন্যের চেয়ে ভাল: কাস্টমাইজড পরিষেবাগুলি স্থিতিশীল মানের এবং দ্রুত বিতরণ আকুপয়েন্টে চ্যাপ্টা ভাল উচ্চ ব্যয়-কর্মক্ষমতা অনুপাত দীর্ঘস্থায়ী জীবন