Pláta Comhdhúile Sileacan

Pláta SiC don phróiseas eitseála ICP Iarratas: Úsáidtear pláta SiC mar shealbhóir wafer do phróiseas eitseála ICP i dtionscal LED. Riachtanas gné: Seoltacht theirmeach den scoth Frithsheasmhach do turraing plasma Aonfhoirmeacht teochta maith Cén fáth go bhfuil Kallex níos fearr ná a chéile: Ar fáil i sonraíochtaí éagsúla,ag soláthar seirbhísí saincheaptha freisin Cáilíocht chobhsaí agus seachadadh tapa Seirbhís athchóirithe

Pláta SiC do RTA Iarratas: Úsáidtear pláta SiC go forleathan mar shealbhóir wafer san RTA(annealing tapa teirmeach)próiseas i dtionscail LED agus leathsheoltóra. Riachtanais gné: Seoltacht theirmeach maith Friotaíocht mhaith turraing theirmeach Comhéifeacht íseal leathnú teirmeach Aonfhoirmeacht teochta maith Cén fáth go bhfuil Kallex níos fearr ná a chéile: Ar fáil i sonraíochtaí éagsúla,ag soláthar seirbhísí saincheaptha freisin Seachadadh ardchaighdeáin agus tapa OEM agus ODM

Pláta SiC do PSS Iarratas: Úsáidtear pláta SiC mar shealbhóir wafer do PSS(foshraith sapphire patrún)próiseas eitseála i dtionscail LED. Riachtanais gné: Seoltacht theirmeach Frithsheasmhach in aghaidh bombardú plasma Aonfhoirmeacht teochta maith Cén fáth go bhfuil Kallex níos fearr ná a chéile: Ar fáil i sonraíochtaí éagsúla,ag soláthar seirbhísí saincheaptha freisin Cáilíocht chobhsaí agus seachadadh tapa Costas ard-cóimheas feidhmíochta agus iomaíoch Taithí fairsing ag déanamh tráidirí Deimhnithe ag an monarcha bunaidh Sonraíochtaí: Pláta SiCφ340mm&uaireanta;2mm(2 orlaigh*26 póca) Pláta SiCφ340mm&uaireanta;2mm(4 orlach*7 póca)

Pláta SiC do PVD Iarratas: Úsáidtear pláta SiC go forleathan mar shealbhóir wafer don phróiseas PVD d’fhás scannáin nítríde alúmanaim i dtionscail LED. Riachtanais gné: Seoltacht theirmeach den scoth Aonfhoirmeacht teochta maith Friotaíocht mhaith turraing theirmeach Cén fáth go bhfuil Kallex níos fearr ná a chéile: Ar fáil i sonraíochtaí éagsúla,ag soláthar seirbhísí saincheaptha freisin Seachadadh ardchaighdeáin agus tapa Dlúisithe go hiomlán,gan amach-eisiúint gassing

Tráidire bioráin SiC Iarratas: Is féidir le tráidire bioráin SiC do phróiseas eitseála ICP i dtionscal LED ionad an tráidire de ghnáthchineálacha póca. Riachtanais gné: Seoltacht theirmeach den scoth Friotaíocht ar bhuamáil plasma Aonfhoirmeacht teochta maith Cén fáth go bhfuil Kallex níos fearr ná a chéile: Dearadh eisiatach paitinne,fuarthas deimhniú paitinne ROC:Nua Uimh.M555559-Ainm nua:iompróir wafer Cuidiú le custaiméirí feabhas a chur ar an bpróiseas Costas ard-cóimheas feidhmíochta agus ard iomaíoch Feabhas a chur ar aonchineálacht gach limistéar beag páirteach sa wafer Laghdaigh difríocht thorthaí an phróisis idir sliseoga san iompróir céanna Tá an saol marthanach ceithre huaire ná na gnáthchineálacha póca,rud a d’fhéadfadh costas úsáide an phláta a shábháil go mór

Diosca réalta SiC Iarratas: Úsáidtear lárphláta SiC agus dioscaí i seomra imoibrithe MOCVD do III-V próiseas epitaxial leathsheoltóra cumaisc. Riachtanais gné: Frithsheasmhach in aghaidh teocht ard Seoltacht ard theirmeach Gan eisiúint cáithníní Cobhsaíocht theirmeach maith Cén fáth go bhfuil Kallex níos fearr ná a chéile: Seirbhísí saincheaptha Cáilíocht chobhsaí agus seachadadh tapa Tá an flatness san acupoint go maith Costas ard-cóimheas feidhmíochta Saol fada buan